[发明专利]形成半导体装置的矩形间隔物的方法无效
| 申请号： | 200480037500.7 | 申请日： | 2004-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN1894783A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | H·钟;S·达克希纳－穆尔蒂 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体装置和制造此种半导体装置的方法，系藉由在衬底(30)和在栅极电极(32)之上沉积间隔物层(34)而形成间隔物(46)，并于间隔物层(34)上形成保护层(42)。干蚀刻该保护层(42)以留下薄膜侧壁于间隔物层(34)上。然后蚀刻间隔物层(34)，以保护层(42)保护该间隔物层(34)的外侧侧壁。此蚀刻制造于栅极上之间隔物(46)，该间隔物(46)具有平行延伸于栅极电极侧壁(38)的基本垂直的侧壁(52)。I型之间隔物(46)防止于源极/漏极离子注入工艺期间的冲穿，提供改良的源极/漏极注入剂量轮廓。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 装置 矩形 间隔 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成间隔物的方法，包括下列步骤：在衬底(30)上和在具有上表面(40)和垂直延伸的侧壁(38)的栅极电极(32)之上沉积间隔物层(34)；在该间隔物层(34)上形成保护层(42)；蚀刻该保护层(42)，以从该栅极电极(32)的上表面(40)之上的间隔物层(34)去除该保护层(42)，并维持与该栅极电极(40)的侧壁(38)平行的间隔物层(34)上的保护层(42)；以及蚀刻该间隔物层(34)以从该衬底(30)和该栅极电极(32)的该上表面(40)上去除该间隔物层(34)，而于该栅极电极(42)上形成间隔物(46)，各间隔物(46)具有与栅极电极侧壁(38)平行延伸的二个基本垂直的侧壁(52)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
