[发明专利]生产单晶Cu(In,Ga)Se2粉末和含有所述粉末的单粒膜太阳能电池的方法无效
| 申请号： | 200480037535.0 | 申请日： | 2004-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN1894445A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 沃克尔·戈耶;马瑞·阿托萨尔;安·麦利卡尔;简·拉多加 | 申请（专利权）人： | 绍于腾玻璃集团公司 |
| 主分类号： | C30B9/00 | 分类号： | C30B9/00;C30B9/12;C30B29/46;C30B29/60;H01L31/032 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张静洁 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种生产含有Cu(In，Ga)Se2化合物粉末的方法，所述方法包括下述步骤：将Cu和In和/或Cu和Ga铸成Cu为亚化学计量部分的CuIn和/或CuGa合金，生产含有所述CuIn和/或CuGa合金的粉末，向粉末中加入Se和Kl或NaI，将混合物加热至生成熔体，熔体中Cu(In，Ga)Se2再结晶，与此同时，待生成的粉末颗粒生长，以及将熔体冷却，中断颗粒的生长。本发明还涉及一种由一个静合触点、一层单粒膜、至少一层半导体层和一个动合触点构成的单粒膜太阳能电池，所述太阳能电池的特征在于其单粒膜含有根据本发明方法生产的粉末。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 cu in ga se sub 粉末 有所 单粒膜 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】：
1.一种生产含有Cu(In，Ga)Se2化合物的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：将Cu和In和/或Cu和Ga铸成Cu为亚化学计量部分的CuIn和/或CuGa合金；生产含有CuIn和/或CuGa合金的粉末；向粉末中加入Se和Kl或NaI；将混合物加热直至生成熔体，熔体中Cu(In，Ga)Se2再结晶，与此同时，将生成的粉末颗粒生长；将熔体冷却，以便中断颗粒的生长。
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