[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200480037578.9 | 申请日： | 2004-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN1894752A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 真砂纪之;多田佳广 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00;G11C16/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失性存储器装置，该装置在筛选试验中，施加高电压用的元件的耐压限度以下的电压，并且可谋求筛选试验的精度的提高。该非易失性存储器装置(51)，其具有产生高电压的高电压产生电路(7)、输入该高电压并对电压波形进行变换的高电压波形变换电路(58)、和设置了通过施加该变换后的高电压而进行数据改写的存储单元的存储单元部(2)，高电压波形变换电路(58)具有测试信号输入部(TEST)，在向该测试信号输入部输入了测试信号时，将从高电压产生电路(7)输入的高电压以不变换电压波形的方式施加到存储单元部(2)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括产生高电压的高电压产生电路，该半导体装置还包括高电压波形变换电路，其设置于高电压产生电路的后段，对高电压产生电路的高电压的波形进行变换而缓慢地输出高电压。
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