[发明专利]半导体器件、电子器件及电子设备无效
| 申请号： | 200480037702.1 | 申请日： | 2004-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN1894800A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 宫田正靖;上原正光 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/28;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;吴贵明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种栅极绝缘膜3，由作为主要材料的绝缘无机材料形成，该绝缘无机材料包含硅和氧。栅极绝缘薄3包含氢原子。当在室温下利用傅立叶变换红外光谱测量从未受到电场作用的绝缘膜时，波数在830cm－1至900cm－1范围内的红外线辐射吸光率的一部分小于波数为830cm－1的红外线辐射吸光率和波数为900cm－1的红外线辐射吸光率。此外，在波数为830cm－1的红外线辐射吸光率与波数为770cm－1的红外线辐射吸光率之间差值的绝对值定义为A，而波数为900cm－1的红外线辐射吸光率与波数为990cm－1的红外线辐射吸光率之间差值的绝对值定义为B的情况下，则A和B满足关系：A/B是1.8或大于1.8。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 电子器件 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括绝缘膜，所述绝缘膜由作为主要材料的绝缘无机材料形成，所述绝缘无机材料包含硅和氧，并且所述绝缘膜包含氢原子，其中，当在室温下利用傅立叶变换红外光谱测量从未受到电场作用的所述绝缘膜时，波数在830cm-1至900cm-1范围内的红外线辐射吸光率的至少一部分小于波数为830cm-1的红外线辐射吸光率和波数为900cm-1的红外线辐射吸光率，其中，在波数为830cm-1的红外线辐射吸光率与波数为770cm-1的红外线辐射吸光率之间差值的绝对值定义为A，而波数为900cm-1的红外线辐射吸光率与波数为990cm-1的红外线辐射吸光率之间差值的绝对值定义为B的情况下，则A和B满足关系：A/B是1.8或大于1.8。
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