[发明专利]高能ESD结构和方法有效
| 申请号： | 200480037827.4 | 申请日： | 2004-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN1894794A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 彼得·J.·赞德贝尔;迪安·M.·陶 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种同心环ESD结构(10)包括在一层半导体材料(27)中形成的第一p型区域(16)和第二p型区域(19)。两个p型区域(16，19)使用浮动n型隐埋层(26)耦连在一起。第一和第二p型区域(16，19)与浮动n型隐埋层(26)一起形成背对背二极管结构。一对短接的n型(167，197)和p型(166，196)接触区域在第一和第二区域(16，19)的每个中形成。绝缘区域(17，32)在第一和第二p型区域(16，19)之间形成。 | ||
| 搜索关键词： | 高能 esd 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体ESD结构，包括：具有第一导电型的半导体衬底，其包括具有第二导电型和第一掺杂浓度的第一区域；在第一区域中形成、具有第二导电型的隐埋区域；在第一区域中形成并接触隐埋层、具有第一导电型的第二区域；在第一区域中形成并接触隐埋层、具有第一导电型的第三区域；在第二和第三区域之间的第一区域中形成的第一绝缘区域；在第二区域中形成的第一对相反掺杂区域；以及在第三区域中形成的第二对相反掺杂区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
