[发明专利]用于改进流过流体通道的流量的方法无效
| 申请号： | 200480037885.7 | 申请日： | 2004-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN1957232A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | V·卡西克;A·L·麦克尼斯;J·W·克劳茨克;J·M·姆尔沃斯;C·N·哈蒙德;C·J·莫尼;G·R·威廉姆斯;R·L·华纳;M·L·多尔;J·T·范德尔普;G·S·佩蒂尔 | 申请（专利权）人： | 莱克斯马克国际公司 |
| 主分类号： | G01D15/00 | 分类号： | G01D15/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 何腾云 |
| 地址： | 美国肯*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于对在其中具有通孔或狭槽的微流体装置的流体流动进行改进的方法。所述方法包括以下步骤：采用反应离子蚀刻工序从第一表面到相对的第二表面穿过基片厚度的至少一部分形成一个或多个开口，由此在穿过基片至少一部分蚀刻形成开口时交替进行蚀刻和钝化步骤的工序中将停蚀层施加在所述一个或多个开口中的侧壁表面上。通过采用从化学处理和机械处理中选择的方法对所述侧壁表面进行处理而从侧壁表面基本上清除所有的停蚀层涂层，这样被处理的侧壁表面的表面能相对于包含停蚀层涂层的侧壁表面的表面能得到了提高。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改进 流过 流体 通道 流量 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于对其中具有通孔或狭槽的微流体装置的流体流动进行改进的方法，所述方法包括以下步骤：采用反应离子蚀刻工序从第一表面至相对的第二表面穿过基片厚度的至少一部分形成一个或多个开口，由此，在穿过基片厚度的至少一部分蚀刻形成开口时，在交替进行蚀刻和钝化步骤的工序中，停蚀层被施加在所述一个或多个开口中的侧壁表面；以及通过采用从化学处理和机械处理中选择的方法对所述侧壁表面进行处理，从而从侧壁表面基本上清除所有的停蚀层涂层，由此，被处理的侧壁表面的表面能相对于包含停蚀层涂层的侧壁表面的表面能得到提高。
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