[发明专利]去除化学氧化物的系统的操作方法有效
申请号: | 200480038051.8 | 申请日: | 2004-11-03 |
公开(公告)号: | CN1961405A | 公开(公告)日: | 2007-05-09 |
发明(设计)人: | 友安昌幸;梅里特·拉尼·芬克;凯文·奥古斯丁·品托;小田桐正弥;陈廉明;山下朝夫;岩见显;高桥宏幸 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;C23C16/44 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 王怡 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种用于化学氧化物去除(COR)的处理系统和方法,其中处理系统包括第一处理室和第二处理室,其中第一和第二处理室彼此相互耦合。第一处理室包括化学处理室,其提供被控温的室以及用于支持进行化学处理的衬底的被单独控温的衬底支撑物。衬底在包括表面温度和气体压强的被控条件下,暴露给例如HF/NH3的气体化学物质。第二处理室包括提供了被控温的室的热处理室,其与化学处理室热绝缘。热处理室提供了用于控制衬底温度的衬底支撑物,以对衬底上经化学处理过的表面进行热处理。 | ||
搜索关键词: | 去除 化学 氧化物 系统 操作方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于通过化学氧化物去除来处理衬底的方法,包括:确定对于所述衬底的希望状态,其中输出状态包括至少一个目标关键尺寸;接收对于所述衬底的处理前测量数据,其中所述处理前测量数据定义晶片的输入状态并且包括处理前关键尺寸数据;通过比较所述输入状态和所述希望状态确定处理配方;以及使用所述处理配方,通过化学改变所述衬底上被暴露的表层,然后对经化学改变的表层进行热处理,来处理所述衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造