[发明专利]双频RF匹配有效
| 申请号： | 200480038052.2 | 申请日： | 2004-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN1898767A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 史蒂文·C·香农;约翰·霍兰德 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H03H7/40 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李晓冬 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种用于具有双频阴极的等离子增强型半导体处理腔的双频匹配电路(108)。该匹配电路包括具有结合到公共输出(212)的可变分路(C1、C4)的两个匹配电路(202－204)。在工作期间，匹配电路使独立RF源的负载与处理腔中的等离子体的负载相平衡。 | ||
| 搜索关键词： | 双频 rf 匹配 | ||
【主权项】：
1.半导体衬底处理腔中的一种用于使耦合到单个电极的一对RF源的阻抗与等离子体的阻抗相匹配的装置，包括：第一子电路，用于使由第一RF源生成的第一RF信号的阻抗与所述等离子体的阻抗相匹配；以及第二子电路，用于使由第二RF源生成的第二RF信号的阻抗与所述等离子的阻抗相匹配，所述第二子电路连接到所述第一子电路以形成耦合到所述电极的公共输出。
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