[发明专利]用于成像器的双联电容器结构及其形成方法有效
申请号: | 200480038069.8 | 申请日: | 2004-10-19 |
公开(公告)号: | CN1898800A | 公开(公告)日: | 2007-01-17 |
发明(设计)人: | H·E·霍德斯 | 申请(专利权)人: | 微米技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨凯;张志醒 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 公开了包含不同的像素内电容器和外围电容器的CMOS和CCD成像器件及其形成方法。用于外围电路的电容器具有与用于像素本身的电容器不同的要求。可提供包含两个介质层的双叠层电容器以实现低泄漏和高电容。可设置单掩蔽步骤以使一个区域具有双介质电容器而第二个区域具有单介质电容器。还可在一个区域中提供与另一个区域不同的介质,其中极间绝缘体包括两个区域中的单介质。 | ||
搜索关键词: | 用于 成像 电容器 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于形成具有不同的像素内电容器和外围电容器的CMOS成像器件的方法,包括下列步骤:形成至少一个光传感器;在像素区域和外围区域的所述衬底上方形成第一电极层;在所述第一电极层上方形成第一介质层;在所述第一介质层上方形成第二介质层;以及在所述第二介质层上方形成第二电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的