[发明专利]用于成像器的双联电容器结构及其形成方法有效

专利信息
申请号: 200480038069.8 申请日: 2004-10-19
公开(公告)号: CN1898800A 公开(公告)日: 2007-01-17
发明(设计)人: H·E·霍德斯 申请(专利权)人: 微米技术有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 杨凯;张志醒
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 公开了包含不同的像素内电容器和外围电容器的CMOS和CCD成像器件及其形成方法。用于外围电路的电容器具有与用于像素本身的电容器不同的要求。可提供包含两个介质层的双叠层电容器以实现低泄漏和高电容。可设置单掩蔽步骤以使一个区域具有双介质电容器而第二个区域具有单介质电容器。还可在一个区域中提供与另一个区域不同的介质,其中极间绝缘体包括两个区域中的单介质。
搜索关键词: 用于 成像 电容器 结构 及其 形成 方法
【主权项】:
1.一种用于形成具有不同的像素内电容器和外围电容器的CMOS成像器件的方法,包括下列步骤:形成至少一个光传感器;在像素区域和外围区域的所述衬底上方形成第一电极层;在所述第一电极层上方形成第一介质层;在所述第一介质层上方形成第二介质层;以及在所述第二介质层上方形成第二电极层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于微米技术有限公司,未经微米技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200480038069.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top