[发明专利]核伏打电池无效
| 申请号： | 200480038186.4 | 申请日： | 2004-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN101305427A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 弗朗西斯·羽曦·曾;特里斯坦·D·于尔根斯;耶尔·D·哈克;郭石坤;内森·纽曼;斯科特·A·普罗格 | 申请（专利权）人： | 环球技术公司 |
| 主分类号： | G21D7/00 | 分类号： | G21D7/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种核伏打电池。说明了用于直接从核能产生电力的产品和方法。更具体地，本发明说明了使用液体半导体作为有效地将作为核裂变和/或辐射能的核能直接转换成电能的手段。通过将核材料放在液体半导体附近，实现核能向电能的直接转换。以裂变碎片或放射线的形式从核材料发出的核能进入液体半导体并产生电子－空穴对。通过使用适当的电路，施加电负载并作为产生电子－空穴对的结果产生电能。 | ||
| 搜索关键词： | 核伏打 电池 | ||
【主权项】：
1.一种核伏打电池，包括：具有第一表面的第一衬底；淀积在所述第一衬底的所述第一表面上的裂变材料层；淀积在所述裂变材料层上的第一金属触点层；具有第一表面的第二衬底；淀积在所述第二衬底的所述第一表面上的第二金属触点层，其中，所述第一衬底和所述第二衬底被定位为使得所述第一金属触点层和所述第二金属触点层相对；夹在所述第一金属触点层和所述第二金属触点层之间的液体半导体，其中，所述第一金属触点层与所述液体半导体形成肖特基触点，并且所述第二金属触点层与所述液体半导体形成低电阻或欧姆触点；以及将所述第一金属触点层连接到所述第二金属触点层的电路。
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