[发明专利]制造半导体纳米线组以及包括纳米线组的电器件无效
| 申请号： | 200480038258.5 | 申请日： | 2004-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN1898156A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 埃里克·P.·A.·M.·巴克斯;路易斯·F.·费内;亚伯拉罕·R.·巴尔肯那德 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种制造具有期望的布线直径(d)的半导体纳米线组(10)的方法，包括以下步骤：提供预制造的半导体纳米线组(10’)，至少一个预制造的半导体纳米线具有大于期望的布线直径(d)的布线直径(d’)，并且通过蚀刻减小该至少一个预制造的纳米线(10’)的布线直径，由被该至少一个预制造的纳米线(10’)所吸收的光来引发该蚀刻，选择光的光谱使得当该至少一个预制造的纳米线达到期望的布线直径(d)时显著减小该至少一个预制造的纳米线的吸收。电器件(100)可以包括具有期望的布线直径(d)的纳米线组(10)。设备(29)可以用于执行根据本发明的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 纳米 以及 包括 器件 | ||
【主权项】：
1、一种制造具有期望的布线直径(d)的半导体纳米线组(10)的方法，该方法包括以下步骤：提供预制造的半导体纳米线组(10’)，至少一个预制造的半导体纳米线具有大于所述期望的布线直径(d)的布线直径(d’)，并且通过蚀刻减小所述至少一个预制造的纳米线(10’)的布线直径，由被所述至少一个预制造的纳米线(10’)所吸收的电磁辐射来引发所述蚀刻，选择所述电磁辐射的最小波长使得当所述至少一个预制造的纳米线达到所述期望的布线直径(d)时显著减小所述至少一个预制造的纳米线的所述吸收。
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