[发明专利]压电陶瓷及其制造方法有效
| 申请号： | 200480038272.5 | 申请日： | 2004-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN1898182A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 古川正仁;七尾胜;室泽尚吾;佐藤直义;黑田朋史 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;H01L41/187;H01L41/24 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人： | 刘激扬 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了使用温度范围宽、可以得到大的位移量、容易烧成、低公害并且对于环境和生态学方面良好的压电陶瓷及其制造方法。压电基板(1)含有(1－m－n)[(Na1－x－yB>y) (Nb1－zTaz)O3] +m[(M1)ZrO3] + n[M2(Nb1－WTaW) 2O6]作为主成分。式中，M1和M2是碱土金属元素，优选的是0.1≤x≤0.9，0≤y≤0.1，0＜m＜0.1，0＜n≤0.01。这样，可以提高居里温度并增大产生位移量，还可以容易烧成。烧成时，在制备(M1)ZrO3之后与其它原料混合。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 陶瓷 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种压电陶瓷，其特征在于，包含下述组合物，该组合物含有第1钙钛矿型氧化物、第2钙钛矿型氧化物和钨青铜型氧化物，所述的第1钙钛矿型氧化物由包含钠(Na)和钾(K)的第1元素、选自铌(Nb)和钽(Ta)中的至少包含铌的第2元素以及氧(O)构成，所述的第2钙钛矿型氧化物由包含碱土金属元素的第3元素、包含锆(Zr)的第4元素和氧构成，所述组合物中的第2钙钛矿型氧化物的含量低于10mol％。
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