[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

申请号：	200480038514.0	申请日：	2004-12-07
公开（公告）号：	CN1898786A	公开（公告）日：	2007-01-17
发明（设计）人：	森田好次;峰胜利;中西淳二;江南博司	申请（专利权）人：	陶氏康宁东丽株式会社
主分类号：	H01L21/56	分类号：	H01L21/56;C08L83/04;C08L83/08;H01L23/29
代理公司：	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人：	刘明海
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	通过将半导体器件置于模具内，并对填充所述模具和所述半导体器件之间的空间的可固化的硅氧烷组合物进行压塑，从而制造在固化的硅氧烷体内密封的半导体器件的方法，其中该可固化的硅氧烷组合物包含下述组组分：(A)每一分子具有至少两个链烯基的有机聚硅氧烷；(B)每一分子具有至少两个与硅键合的氢原子的有机聚硅氧烷；(C)铂类催化剂；和(D)填料，其中组分(A)和(B)中的任何一种含有T单元硅氧烷和/或Q单元硅氧烷。通过利用这一方法，密封的半导体器件在密封材料内不含孔隙，且可控制固化的硅氧烷体的厚度。
搜索关键词：	半导体器件及其制造方法
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【主权项】：

1.一种制造密封在固化的硅氧烷体内的半导体器件的方法，包括将半导体器件置于模具内，并对填充所述模具和所述半导体器件之间的空间的可固化的硅氧烷组合物进行压塑，其中所述可固化的硅氧烷组合物包含下述组分：(A)每一分子具有至少两个链烯基的有机聚硅氧烷；(B)每一分子具有至少两个与硅键合的氢原子的有机聚硅氧烷；(C)铂类催化剂；和(D)填料，其中或者所述组分(A)含有式RSiO3/2的硅氧烷单元(其中R是单价烃基)和/或式SiO4/2的硅氧烷单元，或者所述组分(B)含有式R′SiO3/2的硅氧烷单元(其中R′是氢原子或不含脂族不饱和碳-碳键的单价烃基)和/或式SiO4/2的硅氧烷单元，或者组分(A)和(B)中的任何一种含有所述硅氧烷单元。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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