[发明专利]铁电聚合物层的构图方法无效
| 申请号： | 200480038534.8 | 申请日： | 2004-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN1898777A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 阿尔贝特·W.·马尔斯曼;尼古拉斯·P.·威拉德 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/312;H01L21/311 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 于辉 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 铁电聚合物例如偏二氟乙烯(VDF)和三氟乙烯(TrFE)的共聚物可以通过如下被构图：在基片上用包括光敏交联剂的铁电旋涂溶液旋涂铁电聚合物层，然后透过掩模照射所述铁电聚合物层并除去所述铁电聚合物层的未曝光部分。 | ||
| 搜索关键词： | 聚合物 构图 方法 | ||
【主权项】：
1、铁电聚合物或低聚物层的构图方法，其包括如下步骤：-提供具有交联剂的铁电聚合物或低聚物组合物，-将所述铁电聚合物或低聚物组合物施加至基片上以在所述基片上形成铁电聚合物或低聚物层，-选择性地交联所述铁电聚合物或低聚物层的一部分，和-除去所述铁电聚合物或低聚物层的未交联部分。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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