[发明专利]纵型栅极半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200480038581.2 | 申请日： | 2004-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN1898801A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 沟口修二;山中光浩;郡司浩幸 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了纵型栅极半导体装置及其制造方法。作为晶体管发挥作用的第一区域11，具有：漏极区域111；本体区域112，形成在漏极区域111的上侧；源极区域113A，形成在本体区域112的上侧；以及沟渠，形成在本体区域112且埋入有栅极电极120。在延伸于第二区域12的本体区域112的上侧形成有源极区域113B。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种纵型栅极半导体装置，作为晶体管发挥作用的第一区域、和用于取得与上述晶体管的本体区域电接触的第二区域相互邻接布置，其特征在于：上述第一区域，具有：漏极区域，形成在上述漏极区域上侧的上述本体区域，形成在上述本体区域上侧的第一源极区域，和形成在上述第一源极区域及上述本体区域且埋入有栅极电极的沟渠；上述本体区域延伸于上述第二区域，并且在上述第二区域的上述本体区域上侧形成有与上述第一源极区域电连接的第二源极区域。
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