[发明专利]在DRAM装置的刷新操作期间用于多次再循环电荷的方法和电路配置无效
| 申请号： | 200480038829.5 | 申请日： | 2004-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN1898748A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | J·韩;J·P·金 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406;G11C11/4091;G11C11/4074;G11C7/06;G11C5/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;魏军 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 提供了在诸如动态随机存取存储器(DRAM)的存储器装置的刷新操作期间用于多次再循环电荷的方法和电路配置。来自涉及第一刷新操作的第一阵列位线感应放大器的一条或多条电源线的电荷可以被转移(610)到涉及后续刷新操作的至少第二和第三阵列位线感应放大器的一条或多条电源线。 | ||
| 搜索关键词： | dram 装置 刷新 操作 期间 用于 多次 再循环 电荷 方法 电路 配置 | ||
【主权项】：
1.一种用于在存储器装置中再循环电荷的方法，包括：执行涉及第一阵列位线感应放大器的第一刷新操作；从第一阵列位线感应放大器的电源线向在第一刷新操作之后执行的第二刷新操作中涉及的第二阵列位线感应放大器的电源线转移电荷；以及从第一阵列位线感应放大器的电源线向第二刷新操作之后执行的第三刷新操作中涉及的第三阵列位线感应放大器的电源线转移电荷。
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