[发明专利]清洁溶液和蚀刻剂及其使用方法有效
| 申请号： | 200480039011.5 | 申请日： | 2004-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN1934233A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 威廉·A·沃伊特恰克;迪安·德维尔夫;西安·柯林斯 | 申请（专利权）人： | 塞克姆公司 |
| 主分类号： | C11D1/38 | 分类号： | C11D1/38 |
| 代理公司： | 北京邦信阳专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王昭林;崔华 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于清洗或蚀刻半导体基片的组合物及其使用方法。所述组合物可包含一种含氟的化合物作为活性剂如氟化季铵，氟化季磷，氟化锍，更通常一种氟化鎓或氟化“多”季鎓，所述氟化“多”季鎓包括通过一个或多个含碳基团连接在一起的两个或多个季鎓基团。所述组合物可进一步包含一种pH调节酸如无机酸，羧酸，二羧酸，磺酸，或其混合物，以提供约2－9的pH。所述组合物可为无水的并且可进一步包含一种有机溶剂如醇，氨基化合物，醚，或其混合物。所述组合物有效于在各种基片上获得改进的蚀刻速率，蚀刻选择性，蚀刻均质性以及清洁标准。 | ||
| 搜索关键词： | 清洁 溶液 蚀刻 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于清洗或蚀刻基片的组合物，所述组合物包含：一种含有氟和磷阳离子的盐；一种酸；一种有机溶剂；含量低于组合物重量的约5％水；以及pH在约2和约9之间。
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