[发明专利]带钼移相器的远紫外掩模无效
申请号: | 200480039053.9 | 申请日: | 2004-12-22 |
公开(公告)号: | CN1898603A | 公开(公告)日: | 2007-01-17 |
发明(设计)人: | S-H·李 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 李玲 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明描述一种方法,包括:提供衬底,该衬底包括第一区域和第二区域;在衬底上形成多层镜面;在多层镜面上形成移相器层;在移相器层上形成覆盖层;去除第二区域中的覆盖层和移相器层;用EUV光照射第一区域和第二区域;并从第一区域和第二区域反射EUV光。本发明还描述一种结构,包括:衬底,该衬底包括第一区域和第二区域;位于第一区域和第二区域上的多层镜面;位于区域中的多层镜面上的移相器层;位于第二区域中的多层镜面上的光强均衡器层;以及位于第一区域中的相移层上以及第二区域中的光强均衡器层上的覆盖层。 | ||
搜索关键词: | 移相器 紫外 | ||
【主权项】:
1.一种方法,包括:提供衬底,所述衬底包括第一区域和第二区域;在所述衬底上形成多层镜面;在所述多层镜面上形成移相器层;在所述移相器层上形成覆盖层;去除所述第二区域中的所述覆盖层和所述移相器层;用EUV光照射所述第一区域和所述第二区域;以及从所述第一区域和所述第二区域反射所述EUV光。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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