[发明专利]带钼移相器的远紫外掩模无效

专利信息
申请号: 200480039053.9 申请日: 2004-12-22
公开(公告)号: CN1898603A 公开(公告)日: 2007-01-17
发明(设计)人: S-H·李 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G03F1/14 分类号: G03F1/14
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 李玲
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明描述一种方法,包括:提供衬底,该衬底包括第一区域和第二区域;在衬底上形成多层镜面;在多层镜面上形成移相器层;在移相器层上形成覆盖层;去除第二区域中的覆盖层和移相器层;用EUV光照射第一区域和第二区域;并从第一区域和第二区域反射EUV光。本发明还描述一种结构,包括:衬底,该衬底包括第一区域和第二区域;位于第一区域和第二区域上的多层镜面;位于区域中的多层镜面上的移相器层;位于第二区域中的多层镜面上的光强均衡器层;以及位于第一区域中的相移层上以及第二区域中的光强均衡器层上的覆盖层。
搜索关键词: 移相器 紫外
【主权项】:
1.一种方法,包括:提供衬底,所述衬底包括第一区域和第二区域;在所述衬底上形成多层镜面;在所述多层镜面上形成移相器层;在所述移相器层上形成覆盖层;去除所述第二区域中的所述覆盖层和所述移相器层;用EUV光照射所述第一区域和所述第二区域;以及从所述第一区域和所述第二区域反射所述EUV光。
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