[发明专利]用于集成替换金属栅极结构的方法无效
| 申请号： | 200480039439.X | 申请日： | 2004-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN1902750A | 公开（公告）日： | 2007-01-24 |
| 发明（设计）人： | J·卡瓦利罗斯;J·K·布拉斯克;M·L·多茨;S·A·哈尔兰德;M·V·梅茨;C·E·巴恩斯;R·S·仇 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李静岚;梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了形成微电子器件的方法和相关结构。那些方法包括：提供包括包含n－型栅极材料的第一晶体管结构和包含p－型栅极材料的第二晶体管结构的衬底，选择性地去除n－型栅极材料以在第一栅极结构中形成凹进，然后用n－型金属栅极材料填充该凹进。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 集成 替换 金属 栅极 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：提供包括包含n-型栅极材料的第一晶体管结构和包含p-型栅极材料的第二晶体管结构的衬底；选择性地去除n-型栅极材料以在第一栅极结构中形成凹进；以及用n-型金属栅极材料填充该凹进。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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