[发明专利]有机薄膜晶体管有效
| 申请号： | 200480039496.8 | 申请日： | 2004-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN1902761A | 公开（公告）日： | 2007-01-24 |
| 发明（设计）人： | 中村浩昭;山本弘志 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L51/00;C07D471/04;C07D487/04;C07D498/04;C07D519/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 范赤;段晓玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开了一种有机薄膜晶体管，其中在基材上形成至少三个端子，即栅电极、源电极和漏电极、绝缘层和有机半导体层，并且在源电极和漏电极之间的电流通过将电压施加到栅电极来控制。所述有机半导体层包含含氮的杂环化合物，其中五元含氮环与五元或者六元环在稠合部分中稠合。该有机薄膜具有高响应速度和大的开关比。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其在基材上包含：至少三个端子，它们由栅电极、源电极和漏电极组成；绝缘层和有机半导体层，其通过在栅电极上施加电压来控制源电极和漏电极之间流动的电流，其中所述有机半导体层包含含氮原子的杂环化合物，该杂环化合物通过五元环之间的稠合形成，所述五元环各自在其稠合位置具有氮原子，或者通过五元环和六元环之间的稠合形成，所述五元环和六元环各自在其稠合位置具有氮原子。
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