[发明专利]用于衬底的各向异性蚀刻的非晶蚀刻停止有效
| 申请号： | 200480039534.X | 申请日： | 2004-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1902736A | 公开（公告）日： | 2007-01-24 |
| 发明（设计）人： | S·基廷;C·奥特 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/308;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王庆海;梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了用在衬底中为电中性的元素注入衬底来形成非晶蚀刻停止层的方法。使用在衬底中为电中性的元素防止在元素扩散到衬底中的其它区域时由该元素引起的电干扰。在晶体管或其它器件如悬臂的制造中，非晶蚀刻停止层可以用作硬掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 衬底 各向异性 蚀刻 停止 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：将凹槽蚀刻到衬底中，该凹槽具有底部；将离子种类注入到凹槽的底部中，以形成非晶蚀刻停止区，该离子种类在衬底中为电中性；和用各向异性湿法蚀刻来蚀刻衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
