[发明专利]高密度聚合物存储元件阵列的侧壁形成有效
| 申请号： | 200480039780.5 | 申请日： | 2004-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN1954431A | 公开（公告）日： | 2007-04-25 |
| 发明（设计）人： | C·F·莱昂斯;M·S·常;S·D·洛帕京;R·苏布拉马尼安;P·昌;M·V·努;J·V·奥格尔斯比 | 申请（专利权）人： | 斯班逊有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示增加关联于光刻特征的存储单元数目的系统和方法。此等系统包括藉由使用各种沉积和蚀刻工艺形成于光刻特征的侧壁的存储元件。该侧壁存储单元(115)能够具有晶片(806)的位线(610)作为第一电极(104、1502)，并与第二形成电极(110、1504)操作以激活形成于其间的有机物质之一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 聚合物 存储 元件 阵列 侧壁 形成 | ||
【主权项】：
1.一种存储装置(1300)，包括：关联于晶片表面的光刻特征的存储器成形阵列，各存储器成形包括：由晶片(806)的位线(610)所形成的第一电极(104、1502)；位于该第一电极(104、1502)侧边的两个第二电极(110、1504)；以及设置于该第一电极(104、1502)与每一该第二电极(110、1504)之间的选择性导电媒介，该第一电极(104、1502)可与各该第二电极(110、1504)操作以选择性地激活该选择性导电媒介的存储部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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