[发明专利]曝光方法和装置以及器件制造方法无效
| 申请号： | 200480039841.8 | 申请日： | 2004-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN1902733A | 公开（公告）日： | 2007-01-24 |
| 发明（设计）人： | 水谷刚之 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 曲瑞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种曝光方法，使用具有保持带有在相互不同的方向延伸的光轴的光学系统的多个部分镜筒的反射折射投影光学系统将掩模上的图案转印到衬底上，其中，测量上述反射折射投影光学系统绕与上述掩模及上述衬底的至少一方交叉的光轴的旋转量，并且基于上述旋转量的测量结果，调整上述掩模及上述衬底的至少一方的、姿势和扫描方向中的至少一种。通过以抵消起因于投影光学系统的旋转的衬底上的投影像的旋转的方式对掩模及衬底的至少一方的姿势和扫描方向中的至少一种进行调整来曝光衬底，就可获得良好的曝光精度。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 方法 装置 以及 器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种曝光方法，使用反射折射投影光学系统将掩模上的图案转印到衬底上，其中，所述反射折射投影光学系统具有保持带有在相互不同的方向延伸的光轴的光学系统的多个部分镜筒，其特征在于：测量上述反射折射投影光学系统绕与上述掩模及上述衬底的至少一方交叉的光轴的旋转量；并且基于上述旋转量的测量结果，来调整上述掩模及上述衬底的至少一方的、姿势和扫描方向中的至少一种。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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