[发明专利]在半绝缘Ⅲ族氮化物中用于费米能级控制的共掺杂有效
| 申请号： | 200480039949.7 | 申请日： | 2004-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN1910736A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | A·W·萨克斯莱尔 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;梁永 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 半绝缘III族氮化物层及制造半绝缘III族氮化物层的方法，包括：利用浅能级p型掺杂剂掺杂III族氮化物层，和利用深能级掺杂剂如深能级过渡金属掺杂剂掺杂III族氮化物层。这样的层和/或方法也可以包括利用浓度小于约1×1017cm－3的浅能级掺杂剂掺杂III族氮化物层，和利用深能级过渡金属掺杂剂掺杂III族氮化物层。深能级过渡金属掺杂利的浓度大于浅能级p型掺杂剂的浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 氮化物 用于 费米 能级 控制 掺杂 | ||
【主权项】：
1、一种制造半绝缘III族氮化物半导体层的方法，包括：利用浅能级p型掺杂剂掺杂III族氮化物层；和利用深能级掺杂剂掺杂III族氮化物层，其中深能级掺杂剂的浓度大于浅能级p型掺杂剂的浓度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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