[发明专利]在沟槽蚀刻中降低线条边缘粗糙度有效
| 申请号： | 200480040167.5 | 申请日： | 2004-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN1902745A | 公开（公告）日： | 2007-01-24 |
| 发明（设计）人： | E·沃加纳;H·H·朱;D·乐;P·勒温哈德特 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/4763 | 分类号： | H01L21/4763 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;染永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种在衬底(图3B，304)上的介质层(图2B，308)中将沟槽(图3B，314)蚀刻到沟槽深度(图3B，318)的方法。将ARC(图3B，310)加到介质层(图2B，308)上。在ARC(图3B，310)上形成光致抗蚀剂掩模(图3B，312)，其中光致抗蚀剂掩模具有厚度。以贯穿方式蚀刻ARC。将沟槽(图3B，314)蚀刻到介质层中，介质对光致抗蚀剂的蚀刻选择性在1∶1和2∶1之间。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 蚀刻 降低 线条 边缘 粗糙 | ||
【主权项】：
1.一种在衬底上的介质层中将沟槽蚀刻到沟槽深度的方法，所述方法包括：在所述介质层上加ARC；在所述ARC上形成光致抗蚀剂掩模，其中所述光致抗蚀剂掩模具有厚度；以贯穿方式蚀刻所述ARC；以及将沟槽蚀刻到所述介质层中，介质对光致抗蚀剂的蚀刻选择性在1∶1和2∶1之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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