[发明专利]固态磁存储系统和方法无效

专利信息
申请号: 200480040197.6 申请日: 2004-11-10
公开(公告)号: CN1902685A 公开(公告)日: 2007-01-24
发明(设计)人: 桑托什·库马尔;苏博得·库马尔;迪夫亚苏·维尔马;克里什纳库马尔·马尼 申请(专利权)人: CM创新公司
主分类号: G11B7/00 分类号: G11B7/00;G11C11/15;G11C17/02
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 马浩
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及一种固态磁存储系统和方法,在衬底上的阵列里设置磁媒体单元的一个阵列。在一个示例性实施例中,通过常规CMOS处理将驱动电子设备制作到衬底里,与阵列相关的单元对齐。每个磁媒体单元包括磁媒体位和用于读媒体位状态的磁阻或GMR堆栈。寻址线与媒体位并列,以允许编程和擦除选择的位。在至少一些实施例中,可以完成扇区擦除。
搜索关键词: 固态 存储系统 方法
【主权项】:
1、一种固态磁存储系统,包括:其中具有驱动电子设备的衬底,放置在衬底之上的磁媒体位,放置在磁媒体位和衬底之间的读元件,邻接媒体位并置的位寻址线,基本上邻接媒体位的字寻址线,所述位寻址线和字寻址线适合于接收编程和擦除信号以使磁位的状态改变,以及将衬底里的驱动电子设备连接到读元件的导线。
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