[发明专利]具有确定热膨胀系数的衬底有效
| 申请号： | 200480040205.7 | 申请日： | 2004-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN1902747A | 公开（公告）日： | 2007-01-24 |
| 发明（设计）人： | Y－M·勒瓦扬 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及用于接收由选自晶体材料的材料构成的转移层(20)的复合支撑体(10)，这样组装件构成用于外延的衬底(30)，支撑体的特征在于其具有与其主表面平行的纵向对称面(100)并且其包含：·在规定温度T具有第一热膨胀系数的中心第一层(1)，所述层在对称面的任一面上横向延伸；和·至少一对横向层(2，2’；3，3’)，每对的层彼此相对并具有：－在复合支撑体(10)中相对于对称面基本对称的排列；－在温度T的基本彼此相等的第二热膨胀系数；和－基本彼此相等的厚度；并且特征在于选择构成复合支撑体(10)的层的材料，以使复合支撑体(10)在温度T的整体热膨胀系数与转移层(20)的材料在温度T的热膨胀系数接近。本发明还涉及在所述复合支撑体上形成有用层的方法，以及涉及包含用于外延的衬底的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 确定 热膨胀 系数 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种用于接收由选自晶体材料的材料所构成的转移层(20)的复合支撑体(10)，从而组装件形成外延衬底(30)，支撑体的特征在于其具有与其主表面平行的纵向对称面(100)并且其包含：·在特定温度T具有第一热膨胀系数并在对称面的任一侧横向延伸的中心第一层(1)；和·至少一对横向层(2，2’；3，3’)，每对的层一个相对于另一个具有：-在复合支撑体(10)中相对于对称面基本对称的排列；-在温度T的基本彼此相等的第二热膨胀系数；和-基本彼此相等的厚度；并且其特征在于，选择构成复合支撑体(10)的层的材料，以使复合支撑体(10)在温度T的整体热膨胀系数接近转移层(20)的材料在温度T的热膨胀系数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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