[发明专利]改善晶圆上结构的可印制性的相移光掩模及方法有效
| 申请号： | 200480040252.1 | 申请日： | 2004-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN1902468A | 公开（公告）日： | 2007-01-24 |
| 发明（设计）人： | K·纳卡加瓦 | 申请（专利权）人： | 凸版光掩公司 |
| 主分类号： | G01F9/00 | 分类号： | G01F9/00;G03F9/00;G03C5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;梁永 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种用于改善晶圆上结构的可印制性的相移光掩模和方法。该方法包括提供一种包括形成于基片上表面的0度PSW与形成于上述基片的第一区域内的180度PSW的光掩模。在上述0度PSW和180度PSW之间的第二区域内形成正交PSW，该PSW可便于在光刻工序中通过所述第二区域投射强度增加的辐射能量。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 晶圆上 结构 印制 相移 光掩模 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善晶圆上结构的可印制性的方法，包括：提供包括基片的光掩模，所述光掩模包含：在所述基片的上表面上形成的0度相移窗(PSW)；以及在所述基片的第一区域中形成的180度PSW；以及蚀刻所述基片的第二区域，以形成所述0度PSW和180度PSW之间的基本正交PSW，所述正交PSW可便于在光刻工序中通过所述第二区域投射强度增加的辐射能量。
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