[发明专利]金属镶嵌三栅极鳍状场效应晶体管有效

申请号：	200480040303.0	申请日：	2004-12-21
公开（公告）号：	CN1902742A	公开（公告）日：	2007-01-24
发明（设计）人：	S·S·艾哈迈德;汪海宏;俞斌	申请（专利权）人：	先进微装置公司
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L29/786
代理公司：	北京纪凯知识产权代理有限公司	代理人：	戈泊;程伟
地址：	美国加利***	国省代码：	美国;US
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摘要：	一种形成鳍式场效应晶体管的方法包含下列步骤：形成鳍状物(205)；以及在邻接该鳍状物(205)的第一末端处形成源极区(210)，并在邻接该鳍状物(205)的第二末端处形成漏极区(215)。该方法进一步包含下列步骤：在该鳍状物(205)之上形成假栅极(505)；以及在该假栅极(505)的周围形成介电层(605)。该方法亦包含下列步骤：去除该假栅极(505)，以便在该介电层(605)中形成沟槽(705)；以及在该沟槽(705)中形成金属栅极(905)。
搜索关键词：	金属镶嵌栅极场效应晶体管
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【主权项】：

1.一种形成鳍式场效应晶体管的方法，其特征在于：形成鳍状物(205)；在邻接该鳍状物(205)的第一末端处形成源极区(210)，并在邻接该鳍状物(205)的第二末端处形成漏极区(215)；在该鳍状物(205)之上在第一图案中形成包含第一材料的假栅极(505)；邻接该假栅极(505)的侧面形成介电层(605)；去除该第一材料，以便在该介电层(605)中形成对应于该第一图案的沟槽(705)；以及在该沟槽(705)中形成金属栅极(905)。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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