[发明专利]制造集成电路信道区域的方法有效

申请号：	200480040306.4	申请日：	2004-12-21
公开（公告）号：	CN1902744A	公开（公告）日：	2007-01-24
发明（设计）人：	相奇;J·N·潘;丘政锡	申请（专利权）人：	先进微装置公司
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L29/786
代理公司：	北京纪凯知识产权代理有限公司	代理人：	戈泊;程伟
地址：	美国加利***	国省代码：	美国;US
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摘要：	实施范例系关于一种FinFET信道结构形成方法。本方法能包括在绝缘层(130)之上设有化合物半导体层(140)，并在该化合物半导体层(140)中设有沟槽(142)，以及在该化合物半导体层(140)之上和沟槽(142)内设有应变半导体层(144)。该方法亦能包括从该化合物半导体层(140)之上去除应变半导体层(144)，由此留下应变半导体层(144)于沟槽(142)内，并去除该化合物半导体层(140)以留下应变半导体层(144)，并形成鳍状信道区域(152)。
搜索关键词：	制造集成电路信道区域方法
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【主权项】：

1.一种形成鳍状信道区域(152)的方法，该方法包括以下步骤：在绝缘层(130)上设化合物半导体层(140)；在该化合物半导体层(140)中设沟槽(142)；在该化合物半导体层(140)之上和沟槽(142)之内设应变半导体层(144)，该沟槽(142)关联于该鳍状信道区域(152)；从该化合物半导体层(140)之上去除应变半导体层(144)，由此留该应变半导体层(144)在该沟槽(142)之内；以及去除该化合物半导体层(140)以留下该应变半导体层(144)，并形成该鳍状信道区域(152)。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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