[发明专利]半导体元件及其制造方法和液晶显示器及其制造方法有效
| 申请号： | 200480040428.3 | 申请日： | 2004-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN1914737A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 神野洋平;藤井岩 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘锴;段晓玲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在常规TFT制成反向交错式的情况下，形成岛形半导体区域时需要通过曝光、显影和液滴释放来形成光刻胶掩模。这导致了处理次数和材料数量的增加。根据本发明，由于在形成源极区和漏极区之后，用作沟道区的部分被用作沟道保护膜的绝缘膜所覆盖形成岛形半导体膜，可以简化工艺，并且这样可以只利用金属掩模而不用光刻胶掩模来制造半导体元件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 液晶显示器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，包括：形成于衬底上包括钛的层；形成于所述层上的门电极层；形成于所述门电极层上的门极绝缘膜；形成于所述门极绝缘膜上的半导体膜；形成于所述半导体膜上的一对n型杂质区；插在该对n型杂质区之间并形成于所述半导体膜上的绝缘膜；以及形成于该对n型杂质区上的导电层。
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