[发明专利]用于磁性存储器应用的应力辅助电流驱动切换无效
| 申请号： | 200480040445.7 | 申请日： | 2004-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN1906701A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | M·帕卡拉;怀一鸣 | 申请（专利权）人： | 弘世科技公司 |
| 主分类号： | G11C17/02 | 分类号： | G11C17/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提供磁性存储器的方法和系统。该方法和系统包括提供多个磁性元件，并且提供至少一个应力辅助层。该多个磁性元件的每一个都配置成使用自旋转移进行写入。该至少一个应力辅助层配置成在写入期间对该多个磁性元件的至少一个磁性元件施加至少一个应力。自旋转移切换电流的减小是由于在写入期间应力辅助层对磁性元件施加的应力。磁性存储器相对于热起伏的稳定性没有受到损害，因为一旦关掉切换电流两个磁化态之间的能量势垒就没有发生改变。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 磁性 存储器 应用 应力 辅助 电流 驱动 切换 | ||
【主权项】：
1.一种磁性存储器，包括：多个磁性元件，该多个磁性元件的每一个都配置成使用自旋转移进行写入；至少一个应力辅助层，配置成在写入期间对该多个磁性元件的至少一个磁性元件施加至少一个应力。
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