[发明专利]刷新半导体存储器中数据的方法和电路结构无效
| 申请号： | 200480040556.8 | 申请日： | 2004-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN1906698A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | J·－H·区 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 顾珊;梁永 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 提供了一种刷新半导体存储器件中数据的方法和电路结构，其中对有限数的行执行刷新操作。有限数目的行只包括例如由监视写入操作所确定的包含有效数据的那些行。 | ||
| 搜索关键词： | 刷新 半导体 存储器 数据 方法 电路 结构 | ||
【主权项】：
1.一种减小半导体存储器件中的电流的方法，该半导体存储器件包含多行存储单元，该方法包括：保持表示将要被刷新的存储单元的行的多个位；和只刷新由所述多个位表示的将要被刷新的那些行。
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