[发明专利]半导体装置的模块结构无效
| 申请号： | 200480040580.1 | 申请日： | 2004-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN1906766A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 北村谦二;谷高真一;远藤陆男;富永雄二郎;田中俊秀;佐藤浩一郎 | 申请（专利权）人： | 本田技研工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/48 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体模块，由具有动作部(1)和护圈部(12)的半导体元件(13)，和设置在该半导体元件的上面以及下面，并对该半导体元件进行冷却的上下的散热部件(15、14)构成。钝化膜(20)，覆盖护圈部，但不覆盖动作部。上部散热部(15)，由与所述钝化膜非接触地连接在动作部上的金属平板构成。上部散热部和下部散热部(14)可热传导地被连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 模块 结构 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置的模块结构，具备：第1导电型的高电阻层；第2导电型的基极层，其形成在所述第1导电型的高电阻层的上部；第1导电型的发射极区域，其形成在所述第2导电型的基极层的上部；发射极电极，其与所述发射极区域连接；栅极电极，其与所述第2导电型的基极层相邻且被绝缘；护圈部，加深包括所述发射极区域的单元区域周围的扩散；钝化膜，其形成在所述护圈部的上部，且未覆盖在所述单元区域的上部；第2导电型的集电极层，其被形成在所述第1导电型的缓冲层的下面；集电极电极，其与所述集电极层连接；以及金属平板的上部散热部，其以与所述钝化膜非接触的高度，与所述发射极电极连接。
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