[发明专利]沉积碳化硅和陶瓷薄膜的方法无效
| 申请号： | 200480040597.7 | 申请日： | 2004-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN1906735A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | M·梅雷加尼;C·A·佐尔曼;傅小安;J·L·邓宁 | 申请（专利权）人： | 卡斯西部储备大学 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;C23C16/32;C23C16/52;B81B3/00;G02B26/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 范赤;邹雪梅 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了在基材上沉积陶瓷薄膜、特别是碳化硅薄膜的方法，其中残余应力、残余应力梯度和电阻率得到控制。还公开了具有沉积的薄膜的基材，所述薄膜具有这些控制的性能，还公开了含有具有薄膜的基材的装置、特别是MEMS和NEMS装置，所述薄膜具有这些性能。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 碳化硅 陶瓷 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在基材上通过化学蒸气沉积方法沉积碳化硅的方法，其包括：(a)在反应室中放置至少一个基材；(b)以预定的固定流量将硅前体提供到反应室；(c)以预定的固定的流量将碳前体提供到反应室；(d)通过控制反应室中的压力控制沉积的碳化硅薄膜中的应力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
