[发明专利]柱状单元快闪存储器技术

摘要

本发明揭示一种柱状类型非易失性存储器单元(803)的阵列，一沟槽(810)将每一存储器单元与邻近的存储器单元隔离。通过堆叠处理一衬底上的层：隧道氧化物层(815)、多晶硅浮动栅极层(819)、ONO或氧化物层(822)、多晶硅控制栅极层(825)来形成每一存储器单元。所述处理的许多方面是自对准的。这些存储器单元的一阵列将需要较少分割。此外，因为以直角或接近直角(843)将电子引导至所述浮动栅极(819)，所以所述存储器单元具有增强的编程特征。

主权项

1.一种可擦除可重新编程非易失性存储器单元阵列，其形成于一半导体衬底的至少一部分上，其包含：隔开的自对准元件堆叠的一二维阵列，其包括所述衬底的一表面上的一栅极电介质层、所述栅极电介质上的一导电浮动栅极、所述浮动栅极上的一栅极间电介质层和所述栅极间电介质上的一导电控制栅极，隔离沟槽，其形成于所述衬底中所述个别堆叠之间并围绕所述个别堆叠，和至少一第一组伸长导体，其延伸越过所述堆叠并与其控制栅极接触，且突出进入邻近的堆叠的所述浮动栅极之间的间隔中。