[发明专利]纳米阵列电极的制造方法以及使用其的光电转换元件无效
| 申请号： | 200480040759.7 | 申请日： | 2004-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN1906332A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 朝野刚;久保贵哉;锦谷祯范 | 申请（专利权）人： | 新日本石油株式会社 |
| 主分类号： | C25D11/18 | 分类号： | C25D11/18;C25D11/04;H01L21/28;H01L29/06;H01L31/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 通过向在电解液中对铝进行阳极氧化得到的阳极氧化多孔氧化铝膜的细孔中埋入电极材料，或者通过向在电解液中对铝进行阳极氧化得到的阳极氧化多孔氧化铝膜的细孔中埋入材料后，向除去阳极氧化多孔氧化铝膜而制成的纳米阵列的细孔中埋入电极材料，或者通过反复向阳极氧化多孔氧化铝膜的细孔中埋入电极材料的操作而埋入多种电极材料，从而能够制造纳米结构受控的纳米阵列电极，提供使用了利用该方法制造的纳米阵列电极的高性能、高效率的光电转换元件。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 阵列 电极 制造 方法 以及 使用 光电 转换 元件 | ||
【主权项】：
1、一种纳米阵列电极的制造方法，其特征在于：向在电解液中对铝进行阳极氧化得到的阳极氧化多孔氧化铝膜的细孔中埋入电极材料。
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