[发明专利]利用修改的表面形态形成存储器结构的方法及其结构无效
| 申请号： | 200480040806.8 | 申请日： | 2004-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN1906743A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 保罗·A·英格索尔;高里尚卡尔·L·真达洛雷;拉马钱德兰·穆拉利达尔 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/788 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;黄启行 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 为了增大半导体器件(10)的栅极耦合比，在浮置栅(16)上淀积分离元件(22)，例如纳米晶。在一个实施例中，在气相中预成形分离元件(22)，并且通过静电力将其附连至半导体器件(10)。在一个实施例中，在不同于它们所附连的腔室中预成形分离元件(22)。在另一实施例中，将相同的腔室用于完整的淀积工艺。可在浮置栅(16)与分离元件(22)之间形成可选的界面层(17)。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 修改 表面 形态 形成 存储器 结构 方法 及其 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成半导体结构的方法，包括：提供半导体衬底；形成覆盖所述半导体衬底的第一隧道电介质；形成覆盖所述第一隧道电介质的第一浮置栅；在所述第一浮置栅上淀积多个预成形的分离元件；形成覆盖所述多个预成形的分离元件的控制电介质；以及形成覆盖所述控制电介质的控制栅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞思卡尔半导体公司，未经飞思卡尔半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480040806.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
