[发明专利]分枝纳米晶须形成的纳米结构和制造它的方法无效

专利信息
申请号: 200480040987.4 申请日: 2004-11-18
公开(公告)号: CN101124152A 公开(公告)日: 2008-02-13
发明(设计)人: L·I·萨米尔松;K·W·德佩尔特 申请(专利权)人: 昆南诺股份有限公司
主分类号: B82B1/00 分类号: B82B1/00;B82B3/00;C30B11/12;C30B29/44;C30B29/40
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 吕彩霞;邹雪梅
地址: 瑞典*** 国省代码: 瑞典;SE
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摘要: 一种形成具有树形式的纳米结构的方法,包括第一阶段和第二阶段。第一阶段包括在衬底表面上提供一个或多个催化颗粒,并经由每个催化颗粒生长第一纳米晶须。第二阶段包括在每个第一纳米晶须的周边上提供一个或多个第二催化颗粒,和从每个第二催化颗粒生长从各自第一纳米晶须的周边横向伸出的第二纳米晶须。可包括另外的阶段以生长一个或多个从前一阶段的纳米晶须伸出的另外纳米晶须。可在纳米晶须内形成异质结构。这种纳米结构可形成太阳能电池阵列或发光面板的元件,其中纳米晶须由光敏材料形成。可通过定位第一纳米晶须紧密到一起形成神经网络,从而邻近的树通过随后阶段中生长的纳米晶须接触另外一个,并且纳米晶须内的异质结形成对电流的隧道势垒。
搜索关键词: 分枝 纳米 形成 结构 制造 方法
【主权项】:
1.一种形成纳米结构的方法,包括:第一阶段,其包括在衬底表面上提供至少一个第一催化颗粒,和经由每个第一催化颗粒通过VLS方法生长第一纳米晶须;和第二阶段,其包括在至少一个所述第一纳米晶须的周边提供至少一个第二催化颗粒,和从每个第二催化颗粒通过VLS方法生长从各个第一纳米晶须周边横向伸出的第二纳米晶须。
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