[发明专利]旋转蚀刻的工序管理方法及旋转蚀刻装置

摘要

本发明提供一种即使各种条件的晶片，也可以实现蚀刻处理的蚀刻量的均匀化，并且可使蚀刻后的晶片间的厚度均匀的旋转蚀刻的工序管理方法及旋转蚀刻装置。本发明首先在蚀刻处理前，以1/1000g单位来测定晶片的重量测定，接着，由旋转蚀刻部来进行规定的蚀刻处理。接着，在晶片的冲洗干燥处理后，再度进行1/1000g单位的重量测定，由晶片的蚀刻前后的差额重量来算出实际蚀刻量，每次确认蚀刻液的蚀刻速率，以控制蚀刻时间。

主权项

1.一种旋转蚀刻的蚀刻量及药液的管理方法，其特征在于，包括：(a)从装载盒取出一片晶片的第一工序；(b)测定晶片的蚀刻前重量W1的第二工序；(c)T0＝V0÷R…(1)根据上式来算出蚀刻时间T0的第三工序，在式(1)中，T0：蚀刻时间，其单位为min、V0：目标蚀刻量，其单位为g、R：使用蚀刻液的蚀刻速率的起始值R0、蚀刻后的蚀刻液的蚀刻速率R1或者加注了加注用药液的蚀刻液的蚀刻速率R2，其单位为g/min；(d)进行所述算出的T0时间的该晶片的蚀刻处理的第四工序；(e)测定该晶片的蚀刻后重量W2的第五工序；(f)R1＝(W1-W2)÷T0…(2)根据上式来算出蚀刻后的蚀刻液的蚀刻速率R1的第六工序，在式(2)中，R1：蚀刻后的蚀刻液的蚀刻速率，其单位为g/min，W1 ：晶片蚀刻前重量，其单位为g，W2：晶片蚀刻后重量，其单位为g，T0 ：蚀刻时间；(g)收容经过蚀刻的晶片的第七工序；(h)判定蚀刻后的蚀刻液的蚀刻速率R1是否在容许范围内的第八工序，在第八工序中，在判定蚀刻速率R1在容许范围内时，对下一晶片实施所述第一工序～第七工序；另一方面，在第八工序中，在判定蚀刻速率R1在容许范围外时，对蚀刻液加注加注用药液，实施使该蚀刻速率R1恢复为起始值R0附近的蚀刻速率R2的第九工序后，对下一晶片实施所述第一工序～第七工序。