[发明专利]制造单晶薄膜的方法以及由其制造的单晶薄膜器件无效
| 申请号： | 200480041710.3 | 申请日： | 2004-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN1918697A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 野田优 | 申请（专利权）人： | 独立行政法人科学技术振兴机构 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/205;H01L31/04;C23C16/01;C30B25/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供制造单晶薄膜的方法以及由如上方法制得的器件，根据上述方法，单晶硅薄膜的剥离可良好进行，得到高纯度的单晶硅薄膜。准备单晶硅衬底(模板Si衬底)201，在这种单晶硅衬底201上，形成外延牺牲层202。然后，在这个牺牲层202上，用RVD方法快速外延生长单晶硅薄膜203，随后刻蚀掉牺牲层202，由此形成用作太阳能电池光生伏打层的单晶硅薄膜204。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 薄膜 方法 以及 器件 | ||
【主权项】：
1.制造单晶薄膜的方法，包括步骤：(a)准备单晶衬底；(b)在单晶衬底上采用相同的材料通过外延生长形成含晶体缺陷的牺牲层；(c)在牺牲层上用相同材料通过外延生长形成含晶体缺陷的单晶薄膜，晶体缺陷的数量比牺牲层中的少；以及(d)刻蚀掉牺牲层，以形成含少量晶体缺陷的单晶薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
