[发明专利]光刻装置和测量方法无效

专利信息
申请号: 200480041713.7 申请日: 2004-12-22
公开(公告)号: CN1918518A 公开(公告)日: 2007-02-21
发明(设计)人: T·M·莫德曼;N·A·A·J·范阿斯坦;G·J·尼梅杰;J·M·范博克斯米尔 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F9/00 分类号: G03F9/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 赵辛
地址: 荷兰费*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 根据本发明一个实施例的一种(例如在包括用于支撑衬底的衬底台的光刻装置中)曝光衬底的方法包括,使用第一传感器和第二传感器来执行至少一个衬底的部分的第一和第二高度测量,基于测量值之差来产生并存储偏移误差地图;通过利用第一传感器执行高度测量,来产生并存储衬底部分(或具有与这部分相类似处理的另一衬底)的高度地图,并利用偏移误差地图来校正该高度地图;以及曝光衬底(或其它衬底)。
搜索关键词: 光刻 装置 测量方法
【主权项】:
1.一种测量方法,所述方法包括:使用第一传感器来测量衬底的第一部分的至少一个高度;使用第二传感器来测量所述衬底的第一部分的至少一个高度;基于使用所述第一传感器所测量的至少一个高度和使用所述第二传感器所测量的至少一个高度,来产生所述第一传感器的偏移误差的第一表征;使用所述第一传感器来测量衬底的第二部分的多个高度;以及基于所述第一表征和衬底的第二部分的多个高度,来产生衬底的第二部分的第二表征。
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