[发明专利]从氮化物倒装芯片激光去除蓝宝石无效
| 申请号： | 200480041729.8 | 申请日： | 2004-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN1918691A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 布里翁·S·谢尔顿;塞巴斯蒂安·利博;伊万·埃利亚舍维奇 | 申请（专利权）人： | 吉尔科有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在一种用于制备倒装芯片发光二极管器件的方法中，外延层沉积在蓝宝石生长基片上以产生外延片。将多个发光二极管器件制备在该外延片上。切割该外延片以产生器件芯片。该器件芯片以倒装芯片方式连接于底座。该倒装芯片连接包括通过将该器件芯片的至少一个电极连接到该底座的至少一个粘结垫上而将器件芯片固定到底座。在倒装芯片连接之后，通过施加激光除去该器件芯片的生长基片。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 倒装 芯片 激光 去除 蓝宝石 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造倒装芯片发光二极管器件的方法，所述方法包括：(a)将外延层沉积在生长基片上以产生外延片；(b)在所述外延片上制备多个发光二极管器件；(c)切割所述外延片以便由所述外延片产生至少一个分开的器件芯片，所述器件芯片包括多个所述发光二极管器件中的至少一个以及所述生长基片的一部分；(d)将所述器件芯片倒装芯片连接于底座，所述倒装芯片连接包括通过将所述器件芯片的电极连接到所述底座的粘结垫上而将所述器件芯片固定到所述底座；以及(e)在步骤(d)之后，从所述器件芯片除去至少部分所述生长基片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
