[发明专利]溅射靶和光信息记录介质及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200480041752.7 申请日: 2004-07-29
公开(公告)号: CN1918318A 公开(公告)日: 2007-02-21
发明(设计)人: 高见英生;矢作政隆 申请(专利权)人: 日矿金属株式会社
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C04B35/457;G11B7/24;G11B7/26
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 樊卫民;郭国清
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种溅射靶,其特征在于,由向以SnO2为主要成分的In2O3-ZnO-SnO2类复合氧化物中添加Ta、Y中的任何一种或两种元素的氧化物所得的材料组成。本发明涉及一种光信息记录介质用薄膜(特别是用作保护膜)及其制造方法和适用于这些的溅射靶,该光信息记录介质用薄膜的非晶态性稳定,成膜速度快,与记录层的密合性、机械特性优良,且透过率高,此外,由于它由非硫化物类构成,不容易使相邻的反射层、记录层发生老化,由此,本发明的目的在于,提高光信息记录介质的特性及大幅度改善其生产率。
搜索关键词: 溅射 信息 记录 介质 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种溅射靶,其特征在于,由向以SnO2为主要成分的In2O3-ZnO-SnO2类复合氧化物中添加Ta、Y中的任何一种或两种元素的氧化物所得的材料组成。
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