[发明专利]集成电路存储单元及制备方法无效
| 申请号： | 200480041851.5 | 申请日： | 2004-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN1918705A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | A·帕特森 | 申请（专利权）人： | 微米技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种集成电路存储单元，包括复合的第一电容器电极和第一晶体管源极/漏极(28)、第二电容器电极(20)、第一和第二电极之间的电容器电介质(24)、以及第一源极/漏极之上并包括该第一源极/漏极的垂直晶体管(30)。第二源极/漏极可以被包括在连接数位线(38)到垂直晶体管的晶体管沟道的数位线内部导体(40)中。沟道可以包括复合的第一电极和第一源极/漏极的半导电的向上延伸。存储单元可以包括在多个这种存储单元的阵列中，其中第二电极是多个存储单元的公共电极。存储单元可以提供第一电极和数位线之间的直线导电路径，该路径经过垂直晶体管延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 存储 单元 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路存储单元，包含：复合的第一电容器电极和第一晶体管源极/漏极；第二电容器电极；第一和第二电极之间的电容器电介质；以及第一源极/漏极之上的并包括该第一源极/漏极的垂直晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
