[发明专利]用于生产含SiO2的芯片用绝缘层的硅化合物

摘要

本发明涉及一种制备含SiO₂的芯片用绝缘层以及用于该目的的特定前体的应用。本发明还涉及可以这种方式获得的绝缘层，以及用这种绝缘层获得的芯片。

主权项

1.一种生产含SiO2的芯片用绝缘层的方法。其中至少一种下述硅化合物被用作前体：乙烯基硅烷，烷基烷氧基硅烷，烷基芳基烷氧基硅烷，芳基烷氧基硅烷，C1-和C3-C5-烷基原硅酸酯，具有乙二醇基团的原硅酸酯，具有聚醚基团的原硅酸酯，氢烷氧基硅烷，氢芳氧基硅烷，烷基氢硅烷，烷基氢烷氧基硅烷，二烷基氢烷氧基硅烷，芳基氢硅烷，芳基氢烷氧基硅烷，乙酰氧基硅烷，硅氮烷，硅氧烷，具有至少一个乙酰氧基、叠氮基、氨基、氰基、氰氧基、异氰酸根合或酮肟根合基的有机官能硅烷，含至少一个杂环的有机官能硅烷，其中硅原子可位于杂环本身上或与杂环共价键合，至少上述两种硅化合物的混合物，以及四乙氧基硅烷与至少上述一种硅化合物的混合物。