[发明专利]使用软或压印光刻法制备隔离的微米－和纳米－结构的方法有效
| 申请号： | 200480041942.9 | 申请日： | 2004-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101147239A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·M.·德西蒙;贾森·P.·罗兰;安斯利·E.·埃克斯纳;爱德华·T.·萨穆尔斯基;R.·祖德·萨穆尔斯基;本杰明·W.·梅诺;拉肯·E.·欧利斯;金格尔·M.·丹尼森 | 申请（专利权）人： | 北卡罗来纳大学查珀尔希尔分校;北卡罗来纳州大学 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 程大军 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开主题描述了使用氟化的基于弹性体的材料，尤其是全氟聚醚(PFPE)系材料在高分辨的软或压印光刻应用，例如微米－和纳米级复制品模制中，及有机材料的第一纳米接触模制，使用弹性体模具产生高准确度特征的用途。相应地，公开主题描述了通过使用软或压印光刻，制备独立式的隔离的任何形状纳米结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 压印 光刻 法制 隔离 微米 纳米 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成一个或多个颗粒的方法，该方法包括：(a)提供图案化的模板和基板，其中所述图案化的模板包括其中有多个凹陷区形成的图案化模板表面；(b)布置一定体积的液体材料在以下区域至少一个之中或之上：(i)所述图案化模板表面；和(ii)所述多个凹陷区；以及(c)通过以下步骤之一形成一个或多个颗粒：(i)使图案化模板表面与所述基板接触，并处理所述液体材料；和(ii)处理所述液体材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北卡罗来纳大学查珀尔希尔分校;北卡罗来纳州大学，未经北卡罗来纳大学查珀尔希尔分校;北卡罗来纳州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480041942.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
