[发明专利]具有导体材料层的晶体管栅电极有效
| 申请号： | 200480042095.8 | 申请日： | 2004-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN1922735A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | 阿南德·墨菲;博扬·博亚诺夫;休曼·达塔;布赖恩·S·多伊尔;B－Y·金;S·于;罗伯特·赵 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/49;H01L21/28;H01L21/8238;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京嘉和天工知识产权代理事务所 | 代理人： | 严慎 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的各个实施方案涉及PMOS器件，所述PMOS器件具有在衬底上的硅锗材料晶体管沟道、栅电介质、栅电极导体材料以及在所述栅电极导体材料上的栅电极半导体材料，其中所述栅电介质具有比所述沟道上的二氧化硅的介电常数大的介电常数，所述栅电极导体材料具有针对所述栅电介质上的硅处于价能带边缘和传导能带边缘之间的范围内的功函数。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 导体 材料 晶体管 电极 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在电路衬底中形成包括沟道硅锗(SiGe)材料层的晶体管器件沟道；以及形成用于所述晶体管器件的栅电极，所述栅电极包括具有针对硅(Si)处于价能带边缘和传导能带边缘之间的范围内的功函数的导体材料。
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