[发明专利]半导体装置的制造方法和等离子体氧化处理方法无效
| 申请号： | 200480042264.8 | 申请日： | 2004-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN1926692A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木胜;壁义郎 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/49;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在硅晶片(101)上的栅极氧化膜(102)上形成多晶硅膜，从而形成多晶硅电极层(103)(第一电极层)。在该多晶硅电极层(103)上形成钨层(105)(第二电极层)。此外，在形成钨层(105)前，预先在多晶硅电极层(103)上形成导电性的阻挡层(104)。然后，以氮化硅层(106)作为蚀刻掩模，进行蚀刻处理。使用含有氧气和氢气的处理气体，利用处理温度为300℃以上的等离子体氧化处理，在露出的多晶硅层(103)的露出面上形成氧化绝缘膜(107)。由此，能够不氧化钨层(105)而对多晶硅电极层(103)进行选择性的氧化处理。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 等离子体 氧化 处理 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，通过在半导体基板上形成以钨为主成分的膜、和与该以钨为主成分的膜成分不同的膜，制造规定的半导体装置，其特征在于，包括：在所述半导体基板上形成由与所述以钨为主成分的膜成分不同的膜构成的第一层的工序；在所述半导体基板上形成由以钨为主成分的膜构成的第二层的工序；和使用含有氧气和氢气的处理气体，利用处理温度为300℃以上的等离子体处理，在所述第一层的露出面上形成氧化膜的工序。
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