[发明专利]研磨垫及半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200480042307.2 | 申请日： | 2004-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN1926666A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 下村哲生;中森雅彦;山田孝敏;小川一幸;数野淳;渡边公浩 | 申请（专利权）人： | 东洋橡胶工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种研磨垫及使用了该研磨垫的半导体器件的制造方法。即使在使用碱性料浆或酸性料浆进行研磨的情况下，也可以在从使用开始直至使用结束的长时间内持续维持高精度的光学终点检测。本发明的研磨垫被用于化学机械抛光中，具有研磨区域及透光区域，所述透光区域的浸渍于pH11的KOH水溶液或pH4的H2O2水溶液中24小时后的测定波长λ下的透光率T1 (％)与浸渍前的测定波长λ下的透光率T0 (％)的差ΔT(ΔT＝T0－T1)(％)，在测定波长400～700nm的全部范围内在10(％)以内。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种研磨垫，是在化学机械抛光中所用的、具有研磨区域及透光区域的研磨垫，其特征是，所述透光区域在pH11的KOH水溶液中浸渍24小时后的测定波长λ下的透光率T1(％)与浸渍前的测定波长λ下的透光率T0(％)的差ΔT(ΔT＝T0-T1)(％)，在测定波长400～700nm的全部范围内在10(％)以内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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